8N80C是一款高性能的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电子设备中。以下是该产品的详细参考信息：
产品概述
- 型号：8N80C
- 类型：N沟道增强型MOSFET
- 封装：TO-220F（全塑封，绝缘型）
- 主要应用：高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制、照明驱动
关键参数
- 漏源电压（Vds）：800V
- 连续漏极电流（Id）：7.5A（Tc=25°C）
- 导通电阻（Rds(on)）：最大1.2Ω（Vgs=10V，Id=3.8A）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：2-4V
- 最大功耗（Pd）：45W
- 工作温度范围：-55°C 至 +150°C
产品特性
- 低导通电阻，提高效率
- 快速开关速度，适用于高频应用
- 全塑封封装，绝缘性能好
- 高耐压设计，可靠性强
- 符合RoHS环保标准
应用领域
- 开关电源（如PC电源、适配器）
- 工业电机驱动
- 光伏逆变器
- LED驱动电源
- 家用电器控制
使用注意事项
- 确保栅极驱动电压不超过±30V
- 安装时注意散热，建议使用散热片
- 避免静电损坏，操作时采取防静电措施
- 严格按照数据手册的电气参数设计电路
8N80C以其高耐压、低损耗和稳定的性能，成为中高功率开关电路中的优选器件。如需更详细的技术资料，请参考官方数据手册或联系供应商。
